MOSFET測試方案簡介
    MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)是常見的半導體器件,可以廣泛應用在模擬電路和數字電路當中。一般由Source(源極), Drain(漏極),Gate(柵極),Bulk(體電極)組成。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點。
測試設備:4200A-SCS, 加配:中功率SMU/高功率SMU/電容測試單元CVU/超快脈沖測試單元PMU/切換開關等
測試載臺:探針臺/測試夾具
3000V方案:
測試設備:2600- PCT, 可選配:
200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。
測試載臺:高功率探針臺/測試夾具。
1. 由于MOSFET是多端口器件,所以需要多個測量模塊協同測試。
2. MOSFET的漏電越小越好,所以需要精度高的設備進行測試。
3. MOSFET動態電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4.隨著MOSFET特征尺寸越來越小,自加熱效應成為影晌MOSFET可靠性的重要因素。脈沖測試可以減少自加熱效應。所以MOSFET需要進行脈沖 IV測試,用以評估器件的自加熱特性。
5. MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容,且與其在高頻應用有密切關系。所以MOSFET的電容測試非常重要。由于MOSFET的電容是非線性,且不同頻率下曲線不同,所以需要能進行多頻率,多電壓下的CVU進行測試。
MOSFET簡介:
測試方案:
MOSFET測試難點:
1.集成化的測試系統,直流測試/CV測試/脈沖IV測試集于一體,9個卡槽靈活配置測試模塊;
2.電流測試min精度10fA, 電壓max值210V;四線法配置;1pF- 1uF測試量程; 土40V差分脈沖,脈寬min 10ns, 200M采樣率,任意波形編輯功能;
3.自帶Clarius操作軟件, 圖形化設計,簡單易懂;豐富的測試庫直接用,減少測試配置時間;附帶教學視頻,邊學邊用;
4.多種切換開關,支持SMU/PMU/CVU的自動切換,消除換線煩惱;
5.提供低漏電矩陣開關,為自動化,高密度,大批量測試提供支持;
6.開放設備底層指令,附帶編譯軟件,支持自編程
華測優勢:
輸出特性曲線Vds-lds
測試項目舉例:
電容測試曲線
詳情請致電技術熱線13911821020